北京时间11月19日消息,中国触摸屏网讯, 目前作为最为主流的触摸屏制作工艺,黄光制程被普遍应用在触摸屏厂商的生产过程中。其实黄光制程在生产过程中,操作人员会遇到各种各样的问题,本文将就根据生产过程中遇到的问题及解决办法整理成集,以供参考。

  答:Photoresist(光阻).是一种感光的物质,其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。

  答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。

  答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。

  答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程。

  答:Photo的流程分为前处理,上光阻,Soft Bake, 曝光,PEB,显影,Hard Bake等。

  答:在Wafer上涂布光阻之前,需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行HDMS工作,以使Wafer表面更容易与光阻结合。

  答:上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴(Nozzle)被喷涂在高速旋转的Wafer表面,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。  何谓Soft Bake?

  答:上完光阻之后,要进行Soft Bake,其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。

  答:曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。

  答:PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。

  答:显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer进行成象的过程,通过这个过程,成象在光阻上的图形被显现出来。

  答:Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

  答:BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质,TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射,以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

  答:曝光过程中用到的光,由Mercury Lamp(汞灯)产生,其波长为365nm,其波长较长,因此曝光完成后图形的分辨率较差,可应用在次重要的层次。

  答:曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中。

  答:光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程(0.35微米以上)或者较先进制程(0.35微米以下)的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。

  答:一种曝光机,其曝光动作为Step by step形式,一次曝整个exposure field,一个一个曝过去

  答:一种曝光机,其曝光动作为Scanning and step形式, 在一个exposure field曝光时, 先Scan完整个field, Scan完后再移到下一个field.  何为象差?

  答:Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好,就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形,主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距,这两个参数对于不同的产品会有不同。

  答:Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩,曝光过程中的原始图形的载体,通过曝光过程,这些图形的信息将被传递到芯片上。

  答:Pellicle是Reticle上为了防止灰尘(dust)或者微尘粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。

  答:OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性,做了一些修正的光罩,例如,0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。

  答:PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象,目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer(如AA,POLY,METAL1)以增加图形的分辨率。

  答:传统的铬膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要应用在较不Critical 的layer

  答:例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号,00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本,后一个A代表SMIC版本,1代表FAB1,D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台(如果是C,则代表Canon机台)

  答:(1) 光罩盒打开的情况下,不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放

  答:光罩夹子上连一导线到金属桌面,可以将产生的静电导出。   光罩POD和FOUP能放在一起吗?它们之间至少应该保持多远距离?

  答:不能放在一起,之间至少要有30公分的距离,防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。

  答:Photo制程中一系列步骤的组合,其包括:Wafer的前、后处理,Coating(上光阻),和Develop(显影)等过程。

  答:机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态,此时已经不能RUN货,因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决,则将机台挂DOWN。

  答:Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀,因此一般不能得到较好的图形,而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形,因此 将Wafer Edge的光阻曝光,进而在显影的时候将其去除,这样便可以消除影响。

  答:Post Exposure Bake,其功能在于可以得到质量较好的图形。(消除standing waves)

  答:查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉,如果有少,则进一步查看机台是否有Reject记录。

  答:迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的,因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度,如果对准精度超出要求范围内,则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中,要对其与前层的对准精度进行测量,如果测量值超出要求,则必须采取相应措施调整process condition.

  答:Critical Dimension,光罩图案中最小的线宽。曝光过后,它的图形也被复制在Wafer上,通常如果这些最小的线宽能够成功的成象,同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。

  答:扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器,通常可以用于测量CD以及观察图案。

  答:PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件(能量和焦距)对Wafer曝光,以选择最佳的process condition。

  答:After Develop Inspection,曝光和显影完成之后,通过ADI机台对所产生的图形的定性检查,看其是否正常,其检查项目包括:Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect

  答:需要。因为通常是process出现了异常,而且影响到了一些货,因此为了减少损失,必须把还没有ETCH的货追回来,否则ETCH之后就无法挽回损失。

  答:RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理

  答:(1) Particle :作为Particle monitor用的芯片,使用前测前需小于10颗(2) Chuck Particle :作为Scanner测试Chuck平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作为Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做为photo区daily monitor CD稳定度的wafer(5) PR thickness :做为光阻厚度测量的wafer(6) PDM :做为photo defect monitor的wafer

Black Teflon Rod Suppliers for Sale

  答:Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.

  答:它是指某个产品,它的最小"CD" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.

Ptfe Seal, Rubber Seal, Teflon Sheet, Ptfe Gasket, Teflon Ptfe Rod - Jujie,https://www.mgflon.com/